Vernetzung

1×4-Fotodioden-Arrays für NRZ oder PAM4

1x4-PIN-Fotodioden-Array-Chip mit 28 Gbit/s NRZ oder 56 Gbit/s PAM4

Verwenden Sie diese 13XX-nm-Fotodioden-Array-Chips in steckbaren Transceivern, die für 28 Gbit/s NRZ oder 56 Gbit/s PAM4 ausgelegt sind, und profitieren Sie von ihrem geringen Dunkelstrom und ihrer hohen Zuverlässigkeit.

Diese kompakten 1×4-Chips verfügen über G-S-G-Pads auf der Oberseite, wodurch sie sich sehr einfach in steckbare 4-Kanal-Transceiver integrieren lassen. Sie nutzen ein Design mit Beleuchtung von oben, einem Durchmesser der optischen (Beleuchtungs-)Öffnung von 20 μm und einem Abstand von 250 μm.

Hochgeschwindigkeits-Fotodioden-Arrays

Verwenden Sie diese Chips in Glasfaser-Transceivern, Empfängern und Transpondern für 25G/50G/100G-Ethernet-Anwendungen sowie für Singlemode-Anwendungen in der Datenkommunikation und Telekommunikation.

Datenblätter

Wichtigste Merkmale

  • Selbstdichtend auf Chip-Ebene

  • Reagiert auf Wellenlängen von 1260 nm bis 1620 nm

  • Geringe Kapazität von 80 fF

  • Geringer Dunkelstrom und hohe Zuverlässigkeit

  • Betriebstemperatur -40 °C bis 85 °C

  • Entwickelt gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetisch verschlossenen Gehäusen

  • Konfiguration mit Anode oben und Kathode auf der Rückseite

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