Vernetzung

Chips für randbeleuchtete Monitor-Fotodioden (EMPD)

Chip für Diode randbeleuchtete, selbsthermetische Monitor Diode EMPD)

Verwenden Sie diese selbsthermetischen Bauelemente zur Kanalüberwachung im gesamten Wellenlänge 1270 bis 1620 nm mit einer typischen Empfindlichkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm.

Diese kompakten, randbeleuchteten InGaAs-Monitor-Fotodiodenchips verfügen über eine nominelle aktive Fläche von 210 μm × 210 μm und einen Betriebstemperaturbereich von -40 °C bis 90 °C. Dies vereinfacht ihre Integration in Transceiver, Transponder und andere Geräte.

Chips für randbeleuchtete Monitor-Fotodioden (EMPD)

Verwenden Sie diese nach GR-468 zertifizierten Chips in nicht hermetischen Gehäusen, um leistungsstarke Kommunikationskomponenten mit hoher Zuverlässigkeit und extrem geringem Dunkelstrom herzustellen.

Datenblätter

Wichtigste Merkmale

  • Große aktive Fläche – nominell 210 μm × 210 μm

  • Betriebstemperatur -40 °C bis 90 °C

  • Zugelassen gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetisch verschlossenen Gehäusen

  • Extrem niedriger Dunkelstrom bei hoher Zuverlässigkeit

  • Empfindlichkeit im Wellenlängenbereich von 1270–1620 nm mit einer typischen Empfindlichkeit von 0,8 A/W bei 1310 nm

  • RoHS-konform

Verwandte Produkte