Netzwerktechnik
Leistungsstarke 100-mW-DFB-Laserdiodenchips
Erzielen Sie eine ungekühlte Ausgangsleistung von 100 mW und eine Ausgangsleistung von 300 mW im gekühlten Zustand, um 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Kanal für hochmoderne O-Band-Transceiver zu ermöglichen.
Diese Chips sind in vier Wellenlängenbändern erhältlich, um den Wellenlängenanforderungen des Grobmultiplexings (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern gerecht zu werden. Sie zeichnen sich durch eine hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
Leistungsstarke Laserdiodenchips mit 100 mW
Prüfen und inspizieren Sie diese Chips auf transparentem Klebeband mit einem Greifring (Ø 150 mm). Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis zu 1,6 T unterstützt.
Hauptmerkmale
Entwickelt für ungekühltes O-Band-CWDM4
Zertifiziert gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen
Hervorragende Zuverlässigkeit
Konfiguration mit oberer Anode und rückseitiger Kathode
Entspricht der RoHS-Richtlinie
Verfügbare Wellenlängen – CWDM4 1270 nm bis 1330 nm
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