Internet
Hochleistungs-DFB-Laserdiodenchip mit 100 mW
Erzielen Sie eine ungekühlte Ausgangsleistung von 100 mW und eine gekühlte Ausgangsleistung von 300 mW, um mit hochmodernen O-Band-Transceivern Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Kanal zu erreichen.
Diese Chips bieten vier Wellenlängenbereiche, um die Anforderungen an die grobe Wellenlängenmultiplexierung (CWDM) für ungekühlte DR4- und DR8-Transceiver zu erfüllen. Sie zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit aus, entsprechen dem Standard GR-468 und sind für nicht gasgefüllte Gehäuse geeignet.
Hochleistungs-Laserdiodenchip mit 100 mW
Diese Chips werden mit einem halbtransparenten Klebeband mit einem Durchmesser von 150 mm getestet und geprüft. Eine zukunftsweisende Technologie, die fortschrittliche Silizium-Optik-Transceiver-Designs mit bis zu 1,6 T unterstützt.
Wichtigste Merkmale
Speziell für kühlungsfreie CWDM4-Systeme im O-Band entwickelt
Entspricht der Norm GR-468 und ist für nicht gasdichte Verpackungen geeignet
Hervorragende Zuverlässigkeit
Anordnung mit Anode oben und Kathode unten
RoHS-konform
Verfügbare Wellenlängen – CWDM4: 1270 nm bis 1330 nm
Ähnliche Produkte
Weitere ausgewählte Ressourcen
Ausgewählte Erfolgsgeschichte
Laser Framework setzt neue Maßstäbe in der Digital Factory von Siemens
Dank der Unterstützung bei der Coherent und der Coherent FrameWork“-Software kann Siemens sein ID-Link-Fertigungsprogramm erfolgreich umsetzen.
