Netzwerk
Hochleistungs-DFB-Laserdiodenchip mit 100 mW
Die Ausgangsleistung beträgt 100 mW im ungekühlten Zustand und 300 mW im gekühlten Zustand, wodurch mit modernsten O-Band-Transceivern Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Lane erreicht werden können.
これらのチップは、非冷却型DR4およびDR8トランシーバーの粗波長分割多重化（CWDM）波長要件に適合するように、4つの波長帯域で利用できます。高い信頼性を特徴とし、非密閉型パッケージ用としてGR-468規格に適合しています。
高出力100 mWレーザダイオードチップ
これらのチップは、Ø150 mmのグリップリング付き半透明テープで試験および検査されます。1.6Tまでの高度なシリコントランシーバー設計をサポートできる将来性のある技術です。
Wichtigste Funktionen
非冷却式OバンドCWDM4用に設計
非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠
優れた信頼性
上部アノードと裏面カソードの構成
RoHS適合
使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm
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