Vernetzung

Datacom-Fotodiode

850-nm-GaAs-PIN-Fotodiode

Verwenden Sie unsere 850-nm-Fotodioden-Arrays, wenn Sie strenge Anforderungen an die Hochgeschwindigkeits-Datenkommunikation erfüllen müssen; zur Auswahl stehen 1, 4 oder 12 Kanäle.

Diese leistungsstarken und äußerst zuverlässigen Bauelemente sind auf geringe elektrische Störgrößen ausgelegt und ermöglichen maximale Datenraten von bis zu 14 Gbit/s, 28 Gbit/s, 50 Gbit/s und 100 Gbit/s. Sie zeichnen sich durch eine niedrige Betriebsspannung sowie eine Anoden- und Kathodenanordnung auf der Oberseite aus, was eine einfache Integration ermöglicht.

850-nm-Fotodiodenarrays – Produktoptionen

Verwenden Sie diese kompakten Arrays, wenn Sie eine hohe Empfindlichkeit (~0,60 A/W), einen geringen Dunkelstrom (typischerweise einige pA) und eine geringe Kapazität (~125 fF) benötigen. Sie sind halogenfrei und RoHS-konform.

Datenblätter

Modellnummer

Anzahl der Kanäle 

Maximale Datenübertragungsrate (Gbit/s) 

Matrizenlänge (µm) 

Matrizenbreite (µm)

Stanzwerkzeughöhe (µm) 

APA1101010000

1 

14

225 ± 25 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101040000

4 

14

975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101120000

12 

14

2975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1201010000

1 

25

220 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201040000

4 

25

970 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201120000

12 

25

2970 ± 10 

240 ± 20

150 ± 15 

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