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Fotodioden für die Datenübertragung

850-nm-GaAs-PIN-Fotodiode

Wenn strenge Anforderungen an die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung erfüllt werden müssen, können Sie unsere 850-nm-Fotodioden-Arrays mit 1, 4 oder 12 Kanälen nutzen.

Dieses leistungsstarke und äußerst zuverlässige Bauteil wurde so konzipiert, dass es elektrische Parasiten auf ein Minimum reduziert und Datenübertragungsraten von bis zu 14 Gbit/s, 28 Gbit/s, 50 Gbit/s sowie 100 Gbit/s unterstützt. Dank seiner niedrigen Betriebsspannung und der Anoden-Kathoden-Anordnung auf der Oberseite lässt es sich leicht integrieren.

850-nm-Fotodiodenarray – Produktoptionen

Wenn eine hohe Empfindlichkeit (ca. 0,60 A/W), ein geringer Dunkelstrom (standardmäßig einige pA) und eine geringe Kapazität (ca. 125 fF) erforderlich sind, wird dieses kompakte Array verwendet. Es ist halogenfrei und RoHS-konform.

Datenblatt

Modellnummer

Anzahl der Kanäle 

Maximale Datenübertragungsrate (Gbit/s) 

Drahtlänge (μm) 

Strahlbreite (μm)

Stempelhöhe (μm) 

APA1101010000

1 

14

225 ± 25 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101040000

4 

14

975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101120000

12 

14

2975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1201010000

1 

25

220 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201040000

4 

25

970 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201120000

12 

25

2970 ± 10 

240 ± 20

150 ± 15 

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