Internet

Optische Dioden für die Datenkommunikation

850-nm-GaAs-PIN-Fotodiode

Wenn Sie strenge Anforderungen an die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung erfüllen müssen, empfehlen wir Ihnen unsere 850-nm-Fotodioden-Arrays, die wahlweise mit 1, 4 oder 12 Kanälen erhältlich sind.

Diese äußerst zuverlässigen Hochleistungsbauelemente sind auf niedrige elektrische parasitäre Parameter ausgelegt und bieten Datenraten von bis zu 14 Gbit/s, 28 Gbit/s, 50 Gbit/s und 100 Gbit/s. Sie zeichnen sich durch eine niedrige Betriebsspannung aus und verfügen über eine Top-Anode- und Top-Kathode-Konfiguration, was ihre Integration erleichtert.

850-nm-Fotodiodenarray – Produktoptionen

Wenn Sie eine hohe Empfindlichkeit (~0,60 A/W), einen geringen Dunkelstrom (in der Regel einige pA) und eine geringe Kapazität (~125 fF) benötigen, sollten Sie diese kompakten Arrays verwenden. Sie entsprechen den Halogen- und RoHS-Normen.

Datenblatt

Modell

Anzahl der Kanäle 

Maximale Datenübertragungsrate (Gbit/s) 

Länge des nackten Wafers (µm) 

Waferbreite (µm)

Waferhöhe (µm) 

APA1101010000

第 1 期 

14

225 ± 25

245 ± 20

150 ± 15

APA1101040000

4 

14

975 ± 20

245 ± 20

150 ± 15

APA1101120000

12 

14

2975 ± 20

245 ± 20

150 ± 15

APA1201010000

第 1 期 

25

220 ± 20

240 ± 20

150 ± 15

APA1201040000

4 

25

970 ± 20

240 ± 20

150 ± 15

APA1201120000

12 

25

2970 ± 10

240 ± 20

150 ± 15

Ähnliche Produkte