Netzwerken

Fotodioden für die Datenübertragung

850-nm-GaAs-PIN-Fotodiode

Ein 850-nm-Fotodiodenarray, das bei der Erfüllung strenger Spezifikationen für die Hochgeschwindigkeits-Datenübertragung zum Einsatz kommt; zur Auswahl stehen Modelle mit 1, 4 oder 12 Kanälen.

Es handelt sich um ein zuverlässiges Hochleistungsbauteil, das für Datenübertragungsraten von bis zu 14 Gbit/s, 28 Gbit/s, 50 Gbit/s und 100 Gbit/s ausgelegt ist und sich durch geringe elektrische parasitäre Effekte auszeichnet. Dank der Anordnung der Anode und Kathode an der Oberseite lässt sich die Betriebsspannung senken, wodurch sich das Bauteil leicht integrieren lässt.

850-nm-Fotodiodenarray – Produktoptionen

Es handelt sich um ein kompaktes Array, das zum Einsatz kommt, wenn eine hohe Ansprechgeschwindigkeit (~0,60 A/W), ein geringer Ruhestrom (in der Regel im pA-Bereich) und eine geringe Kapazität (~125 fF) erforderlich sind. Es ist halogenfrei und RoHS-konform.

Datenblatt

Modellnummer

Anzahl der Kanäle 

Maximale Datenübertragungsrate (Gbit/s)  

Drahtlänge (μm)  

Drahtdurchmesser (μm)

Matrizenhöhe (μm)  

APA1101010000

1 

14

225 ± 25 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101040000

4 

14

975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1101120000

12 

14

2975 ± 20 

245 ± 20

150 ± 15 

APA1201010000

1 

25

220 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201040000

4 

25

970 ± 20 

240 ± 20

150 ± 15 

APA1201120000

12 

25

2970 ± 10 

240 ± 20

150 ± 15 

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