Vernetzung
Hochgeschwindigkeits-InP-Fotodioden
Hochgeschwindigkeits-Fotodioden, die speziell für die hohen Anforderungen von Glasfaserkommunikationssystemen im Langwellenbereich entwickelt wurden.
Die Hochgeschwindigkeits-Fotodioden wurden für den Einsatz in der nächsten Generation von 800G- und 1,6T-Transceivern mit optischen 200-Gb/s-PAM4-Kanälen entwickelt und bieten erhebliche Verbesserungen hinsichtlich Zuverlässigkeit und Leistung für Rechenzentrumsanwendungen.
Wichtigste Merkmale
- Erhältlich als Einzelmodul und in 1x4-Arrays mit integrierten Linsen
- Effiziente optische Kopplung und Kompatibilität mit allen gängigen 4-Kanal- und 8-Kanal-Transimpedanzverstärkern (TIA)
- Breiter optischer Empfindlichkeitsbereich von 900 nm bis 1650 nm und hohe Empfindlichkeit bei 1310 nm
- Bandbreite von mehr als 50 GHz (3 dB)
- Geringe Kapazität von 50 Femtofarad (fF)
- Geringer Dunkelstrom
- RoHS-konform
- Erhältlich in einer Flip-Chip-Konfiguration zur Kompatibilität mit leistungsstarken TIA-Bausteinen
