Vernetzung
Hochleistungs-DFB Diode mit 100 mW
Mit einer ungekühlten Ausgangsleistung von 100 mW und einer gekühlten Ausgangsleistung von 300 mW lassen sich für modernste O-Band-Transceiver Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Lane erreichen.
Diese Chips sind in vier Wellenlänge erhältlich und erfüllen damit Wellenlänge für das Coarse-Division-Multiplexing (CWDM) in ungekühlten DR4- und DR8-Transceivern. Sie zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit aus und sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetischen Gehäusen qualifiziert.
Hochleistungs Diode mit 100 mW
Lassen Sie diese Chips auf durchscheinendem Klebeband mit einem Greifring (Ø 150 mm) prüfen und untersuchen. Zukunftssichere Technologie, die fortschrittliche Silizium-Transceiver-Designs bis zu 1,6 T unterstützt.
Wichtigste Merkmale
Entwickelt für ungekühlte O-Band-CWDM4
Zugelassen gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetisch verschlossenen Gehäusen
Hervorragende Zuverlässigkeit
Konfiguration mit Anode oben und Kathode auf der Rückseite
RoHS-konform
Verfügbare Wellenlängen – CWDM4: 1270 nm bis 1330 nm
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