Vernetzung
100-Gbit/s-PAM4-DFB Diode
Verwenden Sie diese 13XX-nm Diode in ungekühlten Hochgeschwindigkeits-Transceivern, die auf NRZ- oder PAM4-Modulation (Vierpegelmodulation) basieren und für alle vier O-Band-CWDM-Wellenlängen erhältlich sind.
Diese kompakten Chips lassen sich dank ihres breiten Betriebstemperaturbereichs – von 0 bis +85 °C – und ihrer Konfiguration mit Anode auf der Oberseite und Kathode auf der Rückseite sehr einfach in steckbare Transceiver integrieren. Sie zeichnen sich durch hohe Zuverlässigkeit aus und sind vollständig RoHS-konform.
CWDM-DFB-Laserdiod Diode
Diese Chips eignen sich für den Einsatz in Gigabit-Ethernet- und Storage-Area-Netzwerken sowie in drahtlosen 5G-Front-Haul-Datenverbindungen. Sie sind gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetisch versiegelten Gehäusen ausgelegt.
Wichtigste Merkmale
Ideal für ungekühlte 100-Gbit/s-PAM-4-Verbindungen
Entwickelt gemäß GR-468 für den Einsatz in nicht hermetisch verschlossenen Gehäusen
Konfiguration mit Anode oben und Kathode auf der Rückseite
RoHS-konform
Verfügbare Wellenlängen – CWDM4: 1270 nm bis 1330 nm
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