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Chip für eine Edge-Emitting-Monitor-Fotodiode (EMPD)

Chip für Diode randbeleuchtete, selbsthermetische Monitor Diode EMPD)

Diese selbstdichtenden Bauelemente können zur Kanalüberwachung im Wellenlängenbereich von 1270 bis 1620 nm eingesetzt werden und weisen bei 1310 nm eine typische Empfindlichkeit von 0,8 A/W auf.

このコンパクトな端面照射型InGaAsモニターフォトダイオードチップは、公称アクティブエリア210 μm x 210 μm、動作温度範囲-40°C～90°Cを特徴としています。これにより、トランシーバー、トランスポンダー、その他デバイスへの統合が容易になります。

Chip für eine Edge-Emitting-Monitor-Fotodiode (EMPD)

これらのGR-468規格準拠チップを非密閉型パッケージで使用することで、高い信頼性と極めて低い暗電流を備えた高性能通信コンポーネントを製作できます。

Datenblatt

Wichtigste Funktionen

  • 広いアクティブエリア - 公称210 μm x 210 μm

  • 動作温度-40°C～+90°C

  • 非密閉型パッケージ用としてGR-468規格準拠

  • 極めて低い暗電流と高い信頼性

  • 1310 nmで0.8 A/Wの標準応答性で1270～1620 nmに応答

  • RoHS適合

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