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Chip für eine optoelektronische Diode zur Überwachung der Randbeleuchtung (EMPD)

Chip für Diode randbeleuchtete, selbsthermetische Monitor Diode EMPD)

Diese selbstdichtenden Bauelemente ermöglichen die Kanalüberwachung an beliebigen Stellen im Wellenlängenbereich von 1270 nm bis 1620 nm; die typische Empfindlichkeit bei einer Wellenlänge von 1310 nm beträgt 0,8 A/W.

这些紧凑型边缘照明 InGaAs 监测光电二极管芯片的标称有效面积为 210 μm x 210 μm，工作温度范围为 -40 °C 至 90 °C。这简化了它们在收发器、应答器和其他设备中的集成。