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100-Gbit/s-PAM4-DFB-Laserdioden-Chip

1300 nm 28 Gbit/s NRZ- und 56 Gbit/s Diode

Diese 13XX-nm-Laserdiodenchips werden in kühlerlosen Hochgeschwindigkeits-Lichtmodulen mit NRZ- oder PAM4-Modulation (vierstufig) eingesetzt und eignen sich für alle vier CWDM-Wellenlängen im O-Band.

这些紧凑型芯片工作温度范围宽（0°C 至 +85°C），且采用顶部阳极和背面阴极配置，因此可以非常轻松地集成到可插拔光模块中。它们可靠性高并且完全符合 RoHS 标准。

CWDM DFB 激光二极管芯片

在千兆位以太网和存储区域网络以及 5G 无线前传数据链路中使用这些芯片。它们按照 GR-468 标准设计，用于非气密封装。

Wichtigste Merkmale

  • 非常适合无制冷 100 Gbps PAM 4

  • 按照 GR-468 标准设计，用于非气密封装

  • Anordnung mit Anode oben und Kathode unten

  • RoHS-konform

  • Verfügbare Wellenlängen – CWDM4: 1270 nm bis 1330 nm

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