Netzwerk
100-Gbit/s-PAM4-DFB-Laserdiodenchip
Für schnelle, ungekühlte Transceiver auf Basis von NRZ- oder PAM4-Modulation (4-Pegel) können 13XX-nm-Laserdiodenchips verwendet werden, die für alle vier O-Band-CWDM-Wellenlängen geeignet sind.
これらの小型チップは、0～+85°Cの広い動作温度範囲と、上部アノードと裏面カソードの構成により、プラガブルトランシーバーへの組み込みが非常に容易です。高い信頼性を特徴とし、RoHSに完全準拠しています。
CWDM DFBレーザダイオードチップ
これらのチップは、ギガビットイーサネットやストレージエリアネットワーク、5Gワイヤレスフロントホールデータリンクで使用できます。非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計されています。
Wichtigste Funktionen
非冷却式100 Gbps PAM 4に最適
非密閉型パッケージで使用するためのGR-468規格に合わせて設計
上部アノードと裏面カソードの構成
RoHS適合
使用可能な波長 - CWDM4 1270 nm～1330 nm
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