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100-Gbit/s-PAM4-DFB-Laserdioden-Chip

1300 nm 28 Gbit/s NRZ- und 56 Gbit/s Diode

Es handelt sich um einen 13XX-nm-Laserdiodenchip für den Einsatz in schnellen, ungekühlten Transceivern, die auf NRZ- oder PAM4-Modulation (4-Pegel) basieren und in allen vier O-Band-CWDM-Wellenlängen eingesetzt werden können.

0~+85°C의 넓은 작동 온도 범위와 상단 양극 및 뒷면 음극 구성 덕분에 플러그형 트랜시버에 손쉽게 통합할 수 있는 소형 칩입니다. 신뢰도가 높고 RoHS를 완벽히 준수합니다.

CWDM DFB 레이저 다이오드 칩

기가비트 이더넷, 저장 영역 네트워크, 5G 무선 프론트홀 데이터링크에서 사용하는 칩입니다. 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468에 맞게 설계되었습니다.

Hauptmerkmale

  • 비냉각식 100Gbps PAM 4에 적합

  • 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있도록 GR-468에 맞게 설계됨

  • 상단 양극 및 뒷면 음극 구성

  • RoHS 준수

  • 사용 가능한 파장 - CWDM4 1270nm ~ 1330nm

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