SiC-Substrat und Epitaxie

Auf hochwertigen SiC-Wafern mit einem Durchmesser von 200 mm lassen sich verschiedene Hochleistungsbauelemente für die Leistungselektronik herstellen.

SiC für die Leistungselektronik

Wir fertigen MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für die Hochleistungselektronik im Hoch- und Hochfrequenzbereich, die in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt zum Einsatz kommen.

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SiC für die HF-Elektronik

Erweitern Sie die Produktion von GaN-on-SiC-HF-Leistungsverstärkern und anderen HF- und Mikrowellenbauelementen unter Verwendung der hochwertigen, halbisolierten SiC-Substrate von Coherent.

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SiC-Epitaxie

Durch die Fertigung auf hochleistungsfähigen SiC-Epitaxiewafern von Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm lassen sich die Zeit bis zur Markteinführung verkürzen, die Kosten senken und die Geräteleistung verbessern.

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