InP-Optoelektronik

Diese InP-basierten Laser, Bauelemente und Fotodioden eignen sich für die Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation im O-, C- und L-Band.

Hochleistungs-DFB-Laserdiodenchip mit 100 mW

Die Ausgangsleistung beträgt 100 mW im ungekühlten Zustand und 300 mW im gekühlten Zustand, wodurch mit modernsten O-Band-Transceivern Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Lane erreicht werden können.

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1300 nm 28 Gbit/s NRZ- und 56 Gbit/s Diode

100-Gbit/s-PAM4-DFB-Laserdiodenchip

Für schnelle, ungekühlte Transceiver auf Basis von NRZ- oder PAM4-Modulation (4-Pegel) können 13XX-nm-Laserdiodenchips verwendet werden, die für alle vier O-Band-CWDM-Wellenlängen geeignet sind.

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28-Gbit/s-FB Diode nm 28-Gbit/s-NRZ Diode

28-Gbit/s-DFB-Laserdiodenchip

Durch den Einsatz von Fabry-Pérot- (FP) und DFB-Laserdiodenchips lassen sich optische Transceiver und andere Komponenten realisieren, die eine Laserleistung von einigen mW bei 13XX nm erfordern.

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100 Gbit/s und 200 Gbit/s EML

Ein Sender, der sich ideal für optische Transceiver eignet, die mit 56 GBd- und 112 GBd-PAM4-Modulation arbeiten.

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Chip für Diode randbeleuchtete, selbsthermetische Monitor Diode EMPD)

Chip für eine Edge-Emitting-Monitor-Fotodiode (EMPD)

Diese selbstdichtenden Bauelemente können zur Kanalüberwachung im Wellenlängenbereich von 1270 bis 1620 nm eingesetzt werden und weisen bei 1310 nm eine typische Empfindlichkeit von 0,8 A/W auf.

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1x4-PIN-Fotodioden-Array-Chip mit 28 Gbit/s NRZ oder 56 Gbit/s PAM4

1×4-Fotodiodenarray für NRZ oder PAM4

Durch den Einsatz dieser 13XX-nm-Fotodioden-Array-Chips in steckbaren Transceivern, die für NRZ (28 Gbit/s) oder PAM4 (56 Gbit/s) konfiguriert sind, lassen sich die Vorteile eines geringen Dunkelstroms und einer hohen Zuverlässigkeit nutzen.

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