SiC-Substrate und Epitaxie

Wir fertigen verschiedene Hochleistungs-Leistungselektronikkomponenten auf hochwertigen SiC-Wafern mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm.

SiC für Leistungselektronik

Wir fertigen MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochleistungs-Hochfrequenz-Leistungselektronik, die in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt zum Einsatz kommt.

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SiC für HF-Elektronik

Erweitern Sie die Produktion von GaN-on-SiC-HF-Leistungsverstärkern und anderen HF- und Mikrowellenbauelementen mit den hochwertigen, halbisolierten SiC-Substraten von Coherent.

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SiC-Epitaxie

Verkürzen Sie die Markteinführungszeit, senken Sie die Kosten und verbessern Sie die Geräteleistung mit den Coherent SiC-Epitaxiewafern Coherent mit einem Durchmesser von bis zu 200 mm.

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