SiC-Substrat und Epitaxie
SiC für die Leistungselektronik
Wir fertigen MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für die Hochleistungselektronik im Hoch- und Hochfrequenzbereich, die in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt zum Einsatz kommen.
当社の導電性SiC基板は、低抵抗率、低欠陥密度、高均質性、優れた結晶品質、高熱伝導性を兼ね備えており、低電力損失、高周波動作、優れた熱安定性を備えたデバイスを実現します。
n型シリコンカーバイドの材料特性
Coherentは、お客様がデバイスの性能向上とコスト削減を実現できるよう、継続的に材料の品質を改善し、基板の直径を拡大しています。
n型炭化ケイ素の材料特性 |
|
物理的特性 |
|
構造 |
六方晶、単結晶 |
直径 |
最大200 mm |
グレード |
プライム、開発、メカニカル |
熱特性 |
|
Wärmeleitfähigkeit |
370 (W/mK)、室温 |
熱膨張係数 |
4.5 x 10-6/K |
比熱 (25°C) |
0.71 (J/g°C) |
Coherent SiC基板の重要な追加特性 (代表値) |
|
Parameter |
N型 |
ポリタイプ |
4時間 |
ドーパント |
窒素 |
抵抗率 |
>1019 Ohm-cm |
向き |
4°軸外 |
粗さ、Ra |
<5Å |
転位密度 |
～3,000 cm-2 |
マイクロパイプ密度 |
< 10cm-2 |
Ähnliche Produkte
