SiC-Substrate und Epitaxie
SiC für Leistungselektronik
Wir fertigen MOSFETs, IGBTs und andere Komponenten für Hochleistungs-Hochfrequenz-Leistungselektronik, die in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt zum Einsatz kommt.
당사의 전도성 SiC 기판은 낮은 저항, 낮은 결함 빈도, 높은 균질성, 우수한 결정 품질 및 높은 열 전도성을 결합하여 장치의 전력 손실을 줄여주고 고주파 작동을 가능하게 해주며 열 안정성을 높여줍니다.
n형 실리콘 카바이드 재료의 특성
Coherent는 고객사가 장치의 성능을 높이고 비용을 절감할 수 있도록 재료의 품질을 지속적으로 개선하고 기판의 직경을 늘리고 있습니다.
n형 실리콘 카바이드 소재의 특성 |
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물리적 특성 |
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구조 |
육각형, 단결정 |
직경 |
최대 200mm |
등급 |
프라임(Prime), 개발(Development), 기계적(Mechanical) |
열적 특성 |
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Wärmeleitfähigkeit |
실온에서 370(W/mK) |
열팽창 계수 |
4.5 x 10-6/K |
비열(25°C) |
0.71(J/g°C) |
Coherent SiC 기판의 기타 주요 속성(일반적인 값) |
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Parameter |
N형 |
폴리타입 |
4H |
도펀트 |
질소 |
비저항 |
> 1019Ohm -cm |
방향 |
4° 축외 |
거칠기, Ra |
<5Å |
전위 밀도 |
~3,000cm-2 |
마이크로파이프 밀도 |
< 10cm-2 |
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