SiC-Substrate und Epitaxieplättchen
SiC-Epitaxieplättchen
Nutzen Sie die hochleistungsfähigen SiC-Epitaxiescheiben Coherent 200 mm zur Waferherstellung, um die Markteinführungszeit zu verkürzen, Kosten zu senken und die Geräteleistung zu steigern.
Coherent 高意提供全面的 SiC 材料解决方案，包括带或不带缓冲层的厚外延层、低掺杂层、多层结构、p-n 结、嵌入/埋入结构和接触层等选项。我们为从研发到批量生产的整个产品生命周期提供支持。
SiC 外延能力亮点
先进的 SiC 外延技术
通过高效的缓冲层技术获得出色的低缺陷密度
在生长开始时防止成核晶体缺陷
BPD 到 TED 的转换率 >99.8% → 每平方厘米 1 BPD
支持双极 SiC 器件技术
LPE PE106 具有出色的层均匀性
可调节横向气流
使用 TCS 作为硅前体时，生长速率高达 40 µm/h
150 µm 及以上厚层生长
1×1014/cm3 低掺杂浓度
支持 >15 kV SiC 器件技术
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