InP-Optoelektronische Bauelemente

Nutzen Sie diese InP-basierten Laser, Bauelemente und Fotodioden für die Hochgeschwindigkeits-Glasfaserkommunikation im O-C- und L-Band.

Hochleistungs-DFB-Laserdiodenchip mit 100 mW

Erzielen Sie eine ungekühlte Ausgangsleistung von 100 mW und eine gekühlte Ausgangsleistung von 300 mW, um mit hochmodernen O-Band-Transceivern Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Kanal zu erreichen.

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1300 nm 28 Gbit/s NRZ- und 56 Gbit/s Diode

100-Gbit/s-PAM4-DFB-Laserdioden-Chip

Diese 13XX-nm-Laserdiodenchips werden in kühlerlosen Hochgeschwindigkeits-Lichtmodulen mit NRZ- oder PAM4-Modulation (vierstufig) eingesetzt und eignen sich für alle vier CWDM-Wellenlängen im O-Band.

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28-Gbit/s-FB Diode nm 28-Gbit/s-NRZ Diode

28-Gbit/s-DFB-Laserdioden-Chip

Mit diesen Fabry-Pérot- (FP) und DFB-Laserdiodenchips lassen sich optische Module und andere Komponenten bauen, die eine Laserleistung von einigen Milliwatt bei 13XX nm erfordern.

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100 Gbit/s und 200 Gbit/s EML

Optische Sender für optische Transceiver, die mit 56-GBd- und 112-GBd-PAM4-Modulation arbeiten.

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Chip für Diode randbeleuchtete, selbsthermetische Monitor Diode EMPD)

Chip für eine optoelektronische Diode zur Überwachung der Randbeleuchtung (EMPD)

Diese selbstdichtenden Bauelemente ermöglichen die Kanalüberwachung an beliebigen Stellen im Wellenlängenbereich von 1270 nm bis 1620 nm; die typische Empfindlichkeit bei einer Wellenlänge von 1310 nm beträgt 0,8 A/W.

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1x4-PIN-Fotodioden-Array-Chip mit 28 Gbit/s NRZ oder 56 Gbit/s PAM4

1×4-Fotodiodenarray für NRZ oder PAM4

Setzen Sie diese 13XX-nm-Fotodioden-Array-Chips in steckbaren Transceivern ein, die für NRZ (28 Gbit/s) oder PAM4 (56 Gbit/s) konfiguriert sind, und profitieren Sie von ihrem geringen Dunkelstrom und ihrer hohen Zuverlässigkeit.

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