SiC-Substrate und Epitaxieplättchen
SiC in der Leistungselektronik
Herstellung von MOSFETs, IGBTs und anderen Bauteilen, die in Elektro- und Hybridfahrzeugen sowie in der Luft- und Raumfahrt als Hochleistungs- und Hochfrequenz-Leistungselektronik zum Einsatz kommen.
我们的导电 SiC 衬底结合了低电阻率、低缺陷密度、高均匀性、卓越的晶体质量和高导热性，使器件具有低功耗、高频特性和良好的热稳定性。
N 型碳化硅材料特性
Coherent 高意不断提高材料质量并增加衬底直径，使我们的客户能够提高设备性能并降低成本。
N 型碳化硅材料特性 |
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Physikalische Eigenschaften |
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结构 |
六方单晶 |
直径 |
高达 200 mm |
等级 |
初始、开发、机械 |
热特性 |
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Wärmeleitfähigkeit |
室温下 370 (W/mK) |
热膨胀系数 |
4.5 x 10-6/K |
比热 (25°C) |
0.71 (J/g°C) |
Coherent SiC 衬底的其他关键特性（典型值） |
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Parameter |
N 型 |
多型体 |
4H |
Dotierstoff |
氮 |
电阻率 |
>1019 Ohm-cm |
方向 |
4° 离轴 |
粗糙度 (Ra) |
<5Å |
位错密度 |
~3,000 cm-2 |
微管密度 |
< 10cm-2 |
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