Material
III-V-Photonik-Epitaxiewafer
安定した高品質のエピタキシャルウェハを使用することにより、高性能のレーザ、検出器、その他のIII-V族半導体オプトエレクトロニクスデバイスを提供します。
Coherentのファウンドリは、最先端のMOCVDプラットフォームを採用し、品質、性能、歩留りの新たな標準となるウェハを提供しています。これらの製品は、産業用途、自動車用途、軍事用途、および通信用途の厳しい要求を満たします。
III-Vフォトニクスウェハの機能
25,000平方フィートのクラス1000クリーンルーム施設で製造される、2インチから6インチのウェハを供給します。
デバイスの種類 |
基材 |
材料の特性 |
ウェハの直径 |
EpiLaser® (VCSEL、EEL、LED) |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InAlGaP |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlAs、InAlGaAs |
100 mmまで |
|
EpiDetector® (P-i-N、APD) |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlGaAs |
100 mmまで |
|
EpiSolar™ (1J、2J、3J、4J) |
GaAs、Ge |
InGaP/GaAs/InGaAs、InAlGaP、AlGaAs |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlAs、InAlGaAs |
100 mmまで |
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