Material
III-V-Photonen-Epitaxie-Wafer
通过使用一致的高质量外延片制造晶圆，提供高性能激光器、探测器和其他 III-V 半导体光电子器件。
Coherent 制造厂采用先进的 MOCVD 平台来生产晶圆，为提高质量、性能和良率树立了新标准，从而可以满足具有挑战性的工业、汽车、军事和通信应用需求。
III-V 光子晶圆能力
供应在我们 25,000 平方英尺的 1000 级洁净室设施中制造的 2 英寸至 6 英寸晶圆。
设备类型 |
基材 |
材料性能 |
晶圆直径 |
EpiLaser® （VCSEL、EEL、LED） |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InAlGaP |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlAs、InAlGaAs |
高达 100 毫米 |
|
EpiDetector® （P-i-N、APD） |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlGaAs |
高达 100 毫米 |
|
EpiSolar™ （1J、2J、3J、4J） |
GaAs、Ge |
InGaP/GaAs/InGaAs、InAlGaP、AlGaAs |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs、InGaAsP、InAlAs、InAlGaAs |
高达 100 毫米 |
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