Material
III-V-HF-Epitaxiewafer
安定した高性能のIII-Vエピタキシャルウェハを使用することで、高速エレクトロニクス部品の製造効率、バンド幅、信頼性を向上させることができます。
Coherentは、先進的なIII-VI半導体エピタキシャルウェハの開発、設計、製造に関する広範な能力を備えています。お客様の用途に次世代技術を容易に導入し、大量生産をサポートします。
RFウェハの機能
ワイヤレスデバイス、データセンター、高速通信ネットワークなどに対応する2インチから6インチのウェハを供給します。
デバイスの種類 |
基材 |
材料の特性 |
ウェハの直径 |
EpiHBT® |
GaAs |
InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs |
100 mmまで |
|
EpiBiFET® |
GaAs |
InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs、InP/InAlAs |
100 mmまで |
|
EpiFET® |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs |
150 mmまで |
InP |
InP/InGaAs、InP/InAlAs |
100 mmまで |
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