Material
III-V-HF-Epitaxiescheiben
从我们生产的一致的高性能 III-V 外延片开始，提高制造高速电子元件的效率、带宽和可靠性。
Coherent 在先进 III-VI 半导体外延片的开发、设计和制造方面拥有广泛的能力。我们能够帮助您轻松地将下一代技术融入您的应用中，并为您的批量生产提供大力支持。
射频晶圆能力
供应用于无线设备、数据中心、高速通信网络等的 2 英寸至 6 英寸晶圆。
设备类型 |
基材 |
材料性能 |
晶圆直径 |
EpiHBT® |
GaAs |
InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs |
高达 100 毫米 |
|
EpiBiFET® |
GaAs |
InGaP/GaAs、AlGaAs/GaAs |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs、InP/InAlAs |
高达 100 毫米 |
|
EpiFET® |
GaAs |
AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs |
高达 150 毫米 |
InP |
InP/InGaAs、InP/InAlAs |
高达 100 毫米 |
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