Netzwerken
Hochleistungs-DFB-Laserdiodenchip mit 100 mW
Ohne Kühlung wird eine Ausgangsleistung von 100 mW und mit Kühlung eine Ausgangsleistung von 300 mW erreicht, wodurch für modernste O-Band-Transceiver Datenraten von 100 Gbit/s bzw. 200 Gbit/s pro Kanal realisiert werden können.
비냉각식 DR4 및 DR8 트랜시버의 CWDM(Coarse Division Multiplexing) 파장 요구 사항에 맞게 4개의 파장 대역으로 제공되는 칩입니다. 신뢰도가 높고 비밀폐형 패키지에 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품입니다.
고출력 100mW 레이저 다이오드 칩
칩 테스트 및 검사 시 그립 링 Ø 150mm를 부착한 반투명 테이프를 사용합니다. 첨단 실리콘 트랜시버 설계를 1.6T까지 지원할 수 있는 미래 지향적인 기술입니다.
Hauptmerkmale
비냉각식 O-밴드 CWDM4용으로 설계됨
비밀폐형 패키지에서 사용할 수 있는 GR-468 인증 제품
탁월한 신뢰도
상단 양극 및 뒷면 음극 구성
RoHS 준수
사용 가능한 파장 - CWDM4 1270nm ~ 1330nm
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